南京
5年以上
硕士
2025-01-23 00:52:10
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职位描述
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职位描述：
职责描述：
任职要求：1、必须有3年以上半导体单晶晶体生长研发工作经验，熟悉半导体晶体生长原理和单晶生长设备，从事过锗、硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅等半导体晶体生长工艺开发、单晶生长热场模拟设计、单晶生长自动控制设计等工作的优先。
2、硕士及以上学历，凝固态物理、材料学、半导体物理、控制系统及工程等专业；
3、能够承受压力，认真负责，具备良好的沟通能力、书面表达能力及分析解决问题的能力。
职责描述：
任职要求：1、必须有3年以上半导体单晶晶体生长研发工作经验，熟悉半导体晶体生长原理和单晶生长设备，从事过锗、硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅等半导体晶体生长工艺开发、单晶生长热场模拟设计、单晶生长自动控制设计等工作的优先。
2、硕士及以上学历，凝固态物理、材料学、半导体物理、控制系统及工程等专业；
3、能够承受压力，认真负责，具备良好的沟通能力、书面表达能力及分析解决问题的能力。
注：联系我时，请说是在江苏人才网上看到的。
工作地点
地址：南京溧水区南京
求职提示：用人单位发布虚假招聘信息，或以任何名义向求职者收取财物（如体检费、置装费、押金、服装费、培训费、身份证、毕业证等），均涉嫌违法，请求职者务必提高警惕。
职位发布者
HR
中锗科技有限公司
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电子技术·半导体·集成电路
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200-499人
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公司性质未知
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南京市溧水县经济开发区中兴东路9号
